瞬态光电导相关论文
报道了淀积条件对非晶态硒化镉(α-CdSe)薄膜微区结构的影响,并对利用α-CdSe薄膜为光敏介质的快速光电探测器的瞬态光电导进行了......
利用具有良好瞬态响应的EG&G的4400信号检测系统测量了a-Si:H样品的退火态和不同时间曝光后的瞬态光电导的衰减情况.对实验结果的......
建立傅里叶变换步进扫描时间分辨光电导光谱,并研究太阳电池中与转换效率密切相关的少数载流子寿命.实验选取三种典型的硅太阳电池......
研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况.用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对......
在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜......
研究在77K时,铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导(TPC)的信号强度和衰减时间与铱掺杂浓度间的关系.在溴化银微晶的制备过程中,IrCl3-6作为......
研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况。用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对......
在低温下观察到半导体昌薄膜的瞬态光电导现象，给出了三维理论模型。理论研究表明，陷阱引起光电导，光生载流子通过隧道效应实现复，使光......
本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a......
在低温下观察到P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导现象,并进行了理论和实验研究。认为该现象是由陷阱引起的光电导衰减使陷阱位垒妨碍光......
