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砷化镓(GaAs)相关论文
2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放......
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砷化镓(GaAs)
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
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GaAs基大功率半导体激光器的研究进展
经半个多世纪的发展,半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势,在众多领域得到广泛应用。......
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大功率半导体激光器
砷化镓(GaAs)
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