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本文报道采用双光束致发光手段研究In0.2Ga0.8As/GaAs本征样品及4种不同位置δ掺杂样品,观察到了由He-Ne激光导致的激光强度随附加的第二束激光发光(白光)强度......
麻省理工微系统实验室宣布采用砷镓铟化合物制造出了史上最小的晶体管,其厚度仅为22 nm。合作开发人员和麻省理工学院的教授Jes......
研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比.发现InGaAs量子点表现出更好的增益温度稳......