以Sol-Gel方法制备了有PbTiO3(PT)过渡层的硅基Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂.测......

介绍了用溶胶－凝胶方法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料，在９００℃，３０ｍｉｎ退炎条件下制备了硅基ＰＺＴ铁电薄膜。实验分析......