硅外延材料相关论文
介绍了一种使用中频加温外延设备制作IGBT外延材料的工艺,并对这种厚层、异质外延工艺中出现的一系列问题进行了讨论,提出了改善......
本文主要介绍功率MOSFET管用N型硅外延材料的生产工艺,通过对HCl气腐、衬底片的加工、外延生长工艺过程等一系列问题进行优化,使......
本文改进了自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVDSGE500)的气路系统,使之拥有生长渐变Ge分布的SiGe材料的能力.利用X射......
一、主要技术内容rn高性能硅外延材料“系”2000年国家级火炬计划项目“,项目编号为:00D231D6200094.rn该项目来源于”八五“攻关......
利用PE3061D型平板式外延炉,在150mm的重掺As的硅单晶衬底上采用化学气相沉积(CVD)方法制备参数可控且高均匀性的外延层,通过聚光......
硅外延材料具有厚度和电阻率能精确调控、结晶完整性良好的优势,能够有效降低功耗,改善击穿电压,广泛应用于半导体分立器件。外延......