硅烷基衍生物相关论文
利用诱导效应指数,建立了两个用计算硅烷基衍生物中X-Si的键的键裂能的方法,24个可比较值的平均偏差分别为3.15和2.57kJ·mol^-1同时,也得到两个用以计算......
基于基团电负性用硅烷基的结构参数建立了硅烷基衍生物H3-xRxSi-X键的键离解能以及硅烷基自由基生成热的经验计算方法,利用此方法......
利用诱导效应指数,建立了两种计算硅烷基衍生物XSiRxH3-x的标准生成热的方法,18个可比较值的平均偏差分别为2.46kJ.mol^-1,1.41kJ.mol^-1,同时得到两种计算XSiRxH3-x键裂能的方法。18个可......