磁泡相关论文
斯格明子是涡旋状局域磁结构,具有小尺寸和易于电操控等特点。近年来,斯格明子被认为是具有潜力的信息载体,被提出用来构建多种磁......
斯格明子是拥有拓扑保护的准粒子,它可以由四种磁性相互作用之一导致:（i）Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）;（ii）磁性偶极相互作用;（iii......
斯格明子是一种新颖的具有拓扑稳定性的纳米至微米尺度的自旋结构，存在于具有磁偶极-偶极相互作用竞争的磁泡，以及体/界面Dzyaloshin......
磁记录技术是一种利用磁性物质作记录、存储和再生信息的技术,它包括录音、录象以及数字信息存储。磁记录材料有磁卡、磁鼓、磁带......
本文用X射线光谱绝对强度法、经验系数法和基片内标比值法测定钆镓石榴石基片上的磁膜组份:Ca、Fe、Y、Sm、Ge。厚度范围从“薄展......
近年来用X射线荧光光谱测定薄样的方法及技术有了迅速发展,其中对于薄膜组份和厚度的非破坏测定,从Bergel等人用人工制备的点滴滤......
一、前言近几年来,随着X射线荧光光谱仪的灵敏度和测量精度的提高,溶液—滤纸法在有色金属合金、稀土、环保试样等的分析以及超导......
佳能Note Jet486是目前世界上第一台兼有打印机功能的笔记本计算机.该计算机系按佳能磁泡计算机的比例缩小版,其打印机之微元件装......
钆镓石榴石单晶作基底材料用于制作64K位磁泡贮存器,在科学院上海冶金研究所研制成功,于1985年5月11日通过鉴定。磁泡具有一些突......
由中国科学院磁学开放实验室筹备的全国薄膜磁性学术讨论会于1991年12月4日至6日在桂林召开.这次会议得到了国内七所高等院校、中......
80年9月24日召开的国际磁泡会议清楚地表明磁泡存储器即将高速发展。据推测,现在美国每年1500万美元的磁泡市场至了1985年将增加......
GSGG—G_(d3)S_(c2)G_(a3)O_(12)也称钆钪镓柘榴石是在1800℃(熔点约1750℃)以上的高温下用直拉法拉制而成,其激光波长为1.06微米......
一、前 言 1974年Brown提出磁泡动态测量的新方法——“晃动法”(Rocking technique).它是在传输法的基础上发展起来的.它和传输法......
前 言 磁泡材料的畴壁迁移率和磁泡状态的测定是磁泡动态测量的两个重要内容.早先的阶梯函数响应法[1]和磁泡破灭法[2]虽然都能测......
前 言 磁泡技术于1969年问世.由于磁泡存贮器有单片容量大,存贮密度高,体积小,可靠性高,信息存贮的非易失性以及速度超过机械磁存......
美国国际商用机器公司的圣何塞研究实验室发现,一种电致发光的掺锰的硫化锌薄膜中,微细的小光源在一定条件下可以变成活动的。这......
稳定的磁泡已在混合的铽铒铁石榴石膜上形成並传播,膜是用化学气相沉积法制备在钐镓石榴石和混合的钆钐镓石榴石基片上的。以每小......
一、前言磁泡常规器件的许多功能是通过Ni-Fe合金薄膜图案完成的。因此,制备性能合乎器件要求的Ni-Fe膜是器件工艺重要的一环。磁......
本文提出了液相外延生长硅单晶薄膜的工艺,选择Sn为熔剂,在950℃的温度下等温液相外延生长了掺锑的型硅单晶薄膜,扫描电子显微镜观......
实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕，为准确测得......
实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响．发现存在一个阈值直流偏场（Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ＜（Ｈｂ）ｔｈ时，使ＩＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面......
“低直流偏场法”是一种以枝状畴为出发点来形成硬磁畴的新方法．使用它能够在“脉冲偏场法”无法产生硬磁畴的磁泡薄膜上很容易地产......
用振动样品磁强计（ＶＳＭ）测量了石榴石磁泡膜的饱和磁化强度Ｍ，并与用磁光法测量的结果进行了比较．发现用两种方法测得的Ｍ随温度的升高而下降的......
对于石榴石磁泡薄膜，提出了产生单个枝状畴（ ＭＢＤ） 的“低静态偏磁场法”．ＭＢＤ 的形成是与其畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ） 的形核相联系的．随着静态偏磁场......
实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转......
采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)......
首先简述了磁泡存储的原理及磁泡存储器在国内外数控机床中的应用情况，并给出了ＣＰＣＢ磁泡存储子系统组成原理和技术指标，最后介绍了磁泡存......
实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结......
目前,DEC LS1-11微型计算机已采用了大容量磁泡存贮器。据说,磁泡存贮器运用于下列场合:不宜采用磁盘存贮器的场合以及磁盘存贮器......
日本电电公社武藏野电通研用2μm泡的奇、偶结构,试制出2个主环通道/次环的1Mb磁泡芯片,在3月举行的昭和55年度电子通信学会综合......
日本电信电话公司最近宣布研制成功2.2兆位的磁泡存储器,其性能可与磁鼓相抗衡。该装置于1975年末研制成功,已连续运行1年以上,没......
[据法国电子新闻1981年10月9日报导]由于Texas等放弃磁泡,Intel的磁泡存贮器销售量第二季度比第一季度增长78％,比起1980年同季增加......
在东京召开的1972年国际应用磁学会议上,磁泡存貯技术是受人们注意的中心。几家美国公司,包括贝尔实騐室,北美洛克韦尔和尤尼瓦克......
当前,国内外形势一派大好。“敌人一天天烂下去,我们一天天好起来。”形势的发展越来越有利于世界各国革命人民。正如毛主席在“......
几家公司已经宣布了它们的磁泡存贮器产品,这表明磁泡存贮器终于获得成功。可以肯定,在八十年代初期,几个主要半导体厂家,将为占......
本文提出了一种可接在主机存储总线上的虚拟存储系统。此系统采用了一个能与后援存储器连接并完成全部虚存管理过程的独立处理器。......
前言随着计算机速度及性能的不断提高,要求存储器的容量大、速度快。目前都采用三级存储器的体制以适应这种要求。一般以存取速度......
石井治先生是日本电子技术综合研究所软件部部长。原来他从事磁性材料和存储器系统方面的工作。这次作为日本科学技术代表团正式......
问题的提出 磁泡技术自从提出后,已有了很大发展,引起了人们的注目。人们一直寄以很大希望,期待它能实现应用于计算机,但只是小容......
磁性薄片在外加偏磁场作用下形成的圆柱形磁畴就是磁泡。近年来,磁泡技术有了很大的发展。IBM 公司在1972年已制成了一个8千位的......
