磁致电阻效应相关论文
本论文系统地研究了强电流/电场处理对钙钛矿型锰氧化物薄膜电、磁输运性质的影响以及基于锰氧化物薄膜的p-n异质结的电、磁输运性......
本文采用第一性原理计算方法，系统地研究了分子尺度体系输运性质中存在的几个问题以及通过设计特殊分子器件实现有意义的输运特性。......
Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁体层并不是单纯的铁磁板。相反，它们是合成的反铁磁体（synthe......
The Fe/Mo multilayers were prepared by electron beam evaporation, the microstructure and magnetic properties of the mult......
以铑铁温度计为研究对象,研究了其在0—16 T磁场下、2—300 K温区内的磁致电阻效应。结果表明：铑铁温度计在0—16 T场强下,2—77 K......
各向异性磁致电阻传感器磁强计何志勇，邹凤梧姜惟诚，贾克昌（华中理工大学物理系）（中科院物理所）０引言磁场测量涉及范围很广，磁场强度测量范......
以Cernox（CX-1050、CX-1030）和氧化钌（RX-202、RX-102）温度传感器为研究对象,研究了其在0—35 T场强、0.75—69.5 K温区下的磁致电阻效......
以氧化钌温度传感器(RX-202A)为研究对象,研究了其在0~16 T磁场下、2~40 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强......
以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0～16 T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应。结果表明:在2～20K温区,GR-1400-AA磁效......
本文从磁致电阻效应基本原理出发，讨论了在高密度磁记录条件下ＭＲ磁头的技术特性。就磁屏蔽、偏置、线性范围、磁道响应失衡、热噪声、......
通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0—16T磁场环境、2—320K温区的磁致电阻效应研究,以及与Cernox磁效应的对比分析,得到以下实验结......
