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离子束角度偏差相关论文
抗穿通离子注入工艺偏差对NMOSFET器件性能影响的研究
在已规模化生产的互补金属氧化物半导体中实际起作用的沟道区域是工艺特性和发展的关键区域,以在此沟道中复杂的横向和纵向掺杂形......
学位
抗穿通离子注入
Halo离子注入
Pocket离子注入
阈值电压
饱和驱动电流
工作电流
漏电电流
离子束角度偏差
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