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本文研究了一种倒掺杂沟道MOSFET。与传统的MOSFETs不同,这种器件采用沟道表面掺杂浓度低、体内掺杂浓度高的倒掺杂设计。基于Poss......
在已规模化生产的互补金属氧化物半导体中实际起作用的沟道区域是工艺特性和发展的关键区域,以在此沟道中复杂的横向和纵向掺杂形......