稀土金属硅化物相关论文
金属硅化物具有低电阻率和优良的化学稳定性及其与硅技术的相容性已被成功而广泛地应用于大规模集成电路。近年来,稀土金属硅化物因......
用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15~20V/μm之间.......
稀土金属元素的硅化物在n型硅衬底上具有高电导率和低肖特基势垒的特点,在大规模集成的微电子器件领域具有很好的应用价值.文章系统......
随着集成电路器件尺寸的持续缩小,与Si超低接触电阻率的要求以及新型源漏结构器件的出现,迫切需要降低金属硅化物的接触势垒。因此......