空穴导电相关论文
低温凝聚InSb膜,底板温度的改变可以诱导金属-半导体转变。金属型非晶InSb,以电子导电为主,半导体型非晶InSb则以空穴导电为主。金......
自从Bednorz和Muller发现高T_C氧化物超导体以来,已有几种系列含Cu氧化物超导体,如YBaCuO、BiSrCaCuO以及R1BaCaCuO等。这些超导......
在微型计算机、电子仪器、自动控制装置及家用电器中.数字集成电路的使用是非常普遍的。最常用的数字电路有74系列和4000(包括MC1......
本文根据Szent-Gyrgyi理论,用扩展的Hückel分子轨道法(EHMO),研究了甲硒醇与作为肽键原型的N-甲基乙酰胺相互作用时的电子受主......
2 ,2’ ,7,7’-四碘-9,9’-螺二芴具有特殊的螺形结构 ,它是合成空穴导电材料OMeTAD和TAD及其它一些导电高分子的关键中间体 .我们......
☆热电材料的研究现状及展望【作者】刘杨【机构】哈尔滨师范大学物理与电子工程学院【摘要】本文综述了不同种类热电材料的结构特......
对掺 Ｃｕ 和 Ｃｌ的 Ｃｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｅ 双层光电导膜的暗电导和亮电导与掺杂浓度及 Ｃｕ／ Ｃｌ比的关系、响应时间和光谱响应进行了研究。试验发现： 适当的 Ｃｕ／ Ｃｌ掺......
本文报道用电子束蒸发法将过渡金属Co掺入a-Si薄膜,用电导率与温度的依赖关系,ESR紫外透射谱测量手段对a-Si:Co薄膜的电学、光学特......
本征缺陷空穴导电型 ZnS 的发光和光电特性通常 ZnS 是强补偿单一电子导电的半导体.原因在工作[81]中已作过详细分析.因此人们的......
本文研究了利用离子束溅射、快速退火等技术,通过 Co/Si 固相反应,形成高电导均匀CoSi_2薄膜.对Co/Si 固相反应过程,氧在其中的行......
研究了掺镁钛酸锶（SrTiO3）厚膜氧传感器的敏感机理，镁在SrTiO3的含量分别取10％、20％、30％、40％和50％（摩尔分数）。实验结果表明，当温度在400～900......
1概述多种类型的金和多金属矿床中，黄铁矿是常见的金属矿物密切共伴生。黄铁矿作为一种半导体，在具有一定温度条件下，其单晶可以‘产......
MOSFET是大多数开关电源(SMPS)中晶体管的选择.MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率.为了在功率应用中选择最好的开关,本文对优化......
为研究石墨烯的高迁移率及二硫化钼带隙的结合及其界面处的物理行为,利用干法转移的手段制备石墨烯/二硫化钼异质结,并对其进行了......
采用脉冲激光沉积方法在GaAs(001)单晶基片上生长LaAlO3薄膜构成LaAlO3/GaAs异质结,利用原子力显微镜和XRD对LaAlO3/GaAs异质结进......
根据量子物理的基本概念和经典图像说明空穴概念以及空穴导电和P型霍尔效应的实质．...
<正> 一、概况热敏电阻从名称上已經說明了它的性質,它是一种半导体材料制成的对溫度变化敏感的元件,它的特点是电阻溫度系数恰与......
东京工业大学发现一种透明金属氧化物,这种材料可用来生产半导体。 他们制造的铜铝氧化物经过处理后具有透光性和导电性,将靠电子......
为研究石墨烯的高迁移率及二硫化钼带隙的结合及其界面处的物理行为,利用干法转移的手段制备石墨烯/二硫化钼异质结,并对其进行了......
