ZnO是一种具有压电和光电特性的六方纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.3 eV，激子束缚能高达60 meV，保证了......

Hf O_2作为最有前景的抗激光薄膜材料之一,最佳的制备方法是利用等离子体辅助电子束蒸发金属Hf并充氧进行反应沉积即PIA-EB-Hf法,......

在大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)出光窗口镀制了HfO2增透膜,其透过率达到99.9%.对镀膜材料以及透过率方面进行了比较,介绍了增......

采用等离子体辅助电子束蒸发方法在808 nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2/SiO2系前后腔面膜.用直接测量法测量并比较......

在大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)出光窗口镀制了HfO2增透膜,其透过率达到99.9%.对镀膜材料以及透过率方面进行了比较,介绍了增......

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探究HfO2薄膜的激光损伤特性以进一步提高激光损伤阈值（Laser Induced Damage Threshold，简称LIDT），对其在高功率激光系统中的广泛应用......

采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Ram an)谱、X射线光电子能谱......

信息技术正在经历从电子学、光电子学到光子学的发展。随着社会文明的发展,人们对信息量的需求呈现爆炸性增长的趋势,迫切需要提高......