米勒平台相关论文
为了调节固态Marx发生器输出脉冲的边沿，提出了一种新型的的驱动电路，该方案通过调整充放电管的驱动电压，结合驱动电路的硬件结构，调节......
针对功率MOSFET关断时寄生参数对死区时间的影响问题,基于SIMPLIS仿真软件和MOSFET的特点,建立MOSFET的仿真分析模型,并研究MOSFET......
在许多应用中,电气隔离是一项重要的要求,特别是在涉及高功率电路和低功率电路的地方,以及高边和低边接地需要分开的地方。尽管隔......
IGBT功率模块的可靠性是现今关注的重点,键合线脱落故障是导致其失效的主要原因。故障的发生会致使模块相关的特征参量发生变化,如......
通过对基于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）栅极米勒平台的新型电流过载检测技术的研究,首先从理论上分析了感性负载功率转换电路中IGBT栅......
在移相全桥变换器中,死区时间的长短对零电压开关(ZVS)的范围有较大影响,是变换器设计中需要最优化设计的重要参数。文中运用理论......
由于大功率、高频高温等运行环境的需求,碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表,但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展......
对IGBT的静态特性,动态特性和热特性进行了分析,在Matlab中实现了IGBT模块不同特性的仿真,并对IGBT特性进行了分析研究,为进一步研......
设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点......
通过对IGBT模块栅极电压米勒平台的时延与结温Tj的关系进行研究，首先从理论角度分析了米勒平台时延温度特性；其次设计了稳定可靠的米......
IGBT栅极电压的米勒平台时延与结温有着密切的关系,是IGBT失效的一种重要表征量,因此精确测量IGBT栅极电压米勒时延对于IGBT模块的......
介绍了功率MOS管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VCS的转折电压，负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限......
