米勒电容相关论文
沟槽栅IGBT消除了平面栅IGBT导通时的JFET电阻分量,因此具有更低的导通压降;且因其栅极集成在器件体内,故在导通时具有大的沟道密......
在某项目无刷直流电动机控制器设计完成之后，实验中频繁出现短路故障，经分析是由于米勒电容充电以及dv/dt导致误导通。为解决此问题，......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）多用于感性负载下的电力电子线路中。这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在......
本文主要分析了功率MOSFET的输出电容和米勒电容的定义以及他们非线性特性的表现形态,探讨了影响这2个电容的相关因素,阐述了耗尽......
针对功率VDMOS器件在实际应用中的电磁干扰（EMI）问题，对国内两家公司两款高压VDMOS产品进行应用于LED驱动电源模块的整机EMI测试以及V......
设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点......
