宽禁带半导体ZnO具有高达60 meV的激子束缚能,是一种极具潜力的短波长发光材料.在其p型掺杂存在巨大挑战的现状下,发展ZnO基异质结......

宽禁带（3.37eV）半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能，是发展短波长、低阈值发光/激光二极管（LEDs/LDs）的理想候选材料之一。单晶ZnO纳米......

直接带隙宽禁带(3.37eV)半导体ZnO材料具有高达60meV的激子束缚能,容易实现室温乃至更高温度下的高效激子发光,使其成为制备紫外光......