紫外受激发射相关论文
介绍研制短波半导体激光器的新方法-激光分子束外延(L-MBE)生长ZnO纳米晶薄膜.这种生长于蓝宝石衬底的宽带隙氧化物纳米晶薄膜结构......
氧化锌室温紫外受激发射的发现引起了科研工作者的广泛关注[1].氧化锌具有极其丰富的性质,除了其光电特性外,还是一种半导体压电材......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.37eV)Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体，具有优异的光学和电学特性，在透明导电薄膜、表面声波器件、气体传感......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著优点是在紫外波段存在着受激发射.光泵浦紫外受激发射......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著的特点是在紫外波段存在受激发射。利用脉冲激光沉积法......
ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸......
