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纳采集成电路工艺相关论文
65nm CMOS工艺下新型静电防护衬底改造GGNMOS
为实现纳米集成电路上(On-Chip)的静电(ESD)防护,有效保护脆弱的栅氧,基于65nmCMOS工艺,提出使用增大衬底电阻技术以及电源轨控制......
期刊
纳采集成电路工艺
静电防护
栅接地场效应晶体管
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