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栅接地场效应晶体管相关论文
65nm CMOS工艺下新型静电防护衬底改造GGNMOS
为实现纳米集成电路上(On-Chip)的静电(ESD)防护,有效保护脆弱的栅氧,基于65nmCMOS工艺,提出使用增大衬底电阻技术以及电源轨控制......
期刊
纳采集成电路工艺
静电防护
栅接地场效应晶体管
SPIC版图设计对ESD能力影响的研究
智能功率集成电路是高压集成电路和功率集成电路的总称。近年来,智能功率集成电路随着微电子技术的进步而迅猛发展,已经成为机电一......
学位
静电放电
栅接地场效应晶体管
仿真
器件性能
版图优化
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