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室温300 K下,由于AlxGa1-xN 的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到 AlN 的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必......
室温300 K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到AlN的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需......