线宽粗糙度相关论文
随着集成电路器件尺寸的不断缩小，深纳米尺度的工艺涨落效应越来越显著，晶体管的重要参数如阈值电压，和亚阈值斜率等变得难以预测，这将......
建立一种基于刻线边缘轮廓特征求取刻线线宽和线宽粗糙度的测量方法。理想情况下，刻线线宽方向截面为矩形，面积为该矩形高度和宽度的......
为了对线边缘粗糙度（LER）和线宽粗糙度（LWR）进行分析和表征，采用电子束光刻工艺和感应耦合等离子体刻蚀工艺制备了两种纳米尺度栅线结构......
对于前沿领域,极紫外线(EUV)光刻胶技术的研究要有助于解决一些由于193nm光刻技术不断向下延伸而面临的问题。
For the forefront......
超导纳米线单光子探测器(SNSPD)因其在探测效率、暗计数、探测速度、时间抖动以及响应频谱等性能方面的优异表现,成为目前综合性能......
给出采用原子力显微镜（Atomic force microscope,AFM）测量线宽粗糙度（Line width roughness,LWR）的分析步骤。分析线宽和LWR及其偏差随......
随着集成电路“按比例缩小”趋势的不断发展，刻线临界尺寸不断减小。根据国际半导体路线图确定的目标，DRAM的半节距在2010年将达到45......
