组分偏析相关论文
弛豫铁电单晶材料,例如Pb(Mg1/3Nb2/3)-Pb Ti O3（PMN-PT）,Pb(Zn1/3Nb2/3)-Pb Ti O3（PZN-PT）和Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb T......
目前喷雾热分解法制备超细复合粉末组分偏析控制研究中缺乏分析手段。详细介绍了一种用于研究组分偏析现象的溶剂萃取方法,即利用......
新型闪烁晶体Gd3(Al,Ga)5O12:Ce(简写为GAGG:Ce)在制备过程中易出现多晶扭曲生长、组分偏析等问题,严重影响晶体的性能.为了得到大......
基于氯化钡和二氧化钛具有不同的溶解特性,采用溶剂萃取法分别对以SP法和SHR法制备的钛酸钡前驱体干燥产物颗粒内钡和钛分布进行定......
对晶体生长过程传输现象的数值分析已成为一个重要的传热传质研究领域.该文的主要研究内容和结果如下:该研究把坩埚加速旋转技术,......
CdZnTe单晶体是最重要的红外光电子材料之一，它既可用作高性能红外探测器HgCdTe的外延衬底材料，同时也是制备高能x射线、γ射线探测......
目前喷雾热分解法制奋超细复合粉末组分偏析控制研完中缺乏分析手段.详细介绍了一种用于研究组分偏析现象的溶剂萃取方法,即利用两......
新型闪烁晶体Gd3(Al,Ga)5O12:Ce(简写为GAGG:Ce)在制备过程中易出现多晶扭曲生长、组分偏析等问题,严重影响晶体的性能。为了得到......
目前喷雾热分解法制备超细复合粉末组分偏析控制研究中缺乏分析手段。详细介绍了一种用于研究组分偏析现象的溶剂萃取方法，即利用两......
计算模拟了加速坩埚旋转技术Bridgman(ACRT-B)法生长Cd0.96Zn0.04Te单晶体过程,研究了ACRT波形参数对固-液界面凹陷和晶体内组分偏......
用提拉法生长了φ40 mm×60 mm的Lu2SiO5:Ce(LSO:Ce)晶体,讨论了晶体生长中存在的3个主要问题:(1)偏组分;(2)铱金坩埚的被熔蚀......
模拟计算了半导体材料CdZnTe布里奇曼法单晶体生长过程,分析了熔体的过热温度、坩埚侧面强化换热以及坩埚加速旋转(ACRT)等因素对......
Cd1-xMnxIn2Te4是一种新型的稀磁半导体（Diluted Magnetic Semiconductors—DMS）。本文首次用垂直布里奇曼法（VBM）成功地生长出了x=0.1......
准同型相界弛豫铁电单晶(100-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)以其优异的介电、压电和机电耦合性能吸引了众多研究者的关注。......
