绝缘栅双极晶体管(IGBT)相关论文
IGBT具有GTR和MOSFET各自的优势特点,具有MOSFET的输入阻抗高、其驱动电路简单、开关速度快、驱动功率小等特点。在直流电压为600V......
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期刊
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,即IGBT)是一种拥有载流密度大、饱和压降低等多种优点的功率开关器件,广泛应......
对绝缘栅双极晶体管(GBT)的工作特性进行了理论分析。由于IGBT所含的PNP晶体管是宽基区、低增益的,因此在分析其工作特性进用了双极传输理论。在......