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An inherent self-heating effect of the silicon-on-insulator (SOI) devices limits their application at high current level......
A SOI material with thick BOX (2.2 μm) was successfully fabricated using the Smart-cut technology. The thick BOX SOI mi......
MPC8569 E Power-QUICC III通信处理器基于45nm的绝缘硅片（SOI）技术，适合用于先进的无线和有线通信设备，支持各种无线协议。......
飞思卡尔采用45nm制造技术推出了高性能、低功率的MPC8569E PowerQUICC Ⅲ通信处理器。这款通信处理器是基于45nm绝缘硅片（SOI）技术......
飞思卡尔半导体推出了MPC8569E PowerQUICCⅢ通信处理器——这是基于45nm的绝缘硅片（SOI）技术的高性能、低功率器件。这个处理器是先......
