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肖特基源漏场效应晶体管相关论文
基于FDSOI的新型MOS器件的研究
集成电路技术的飞速发展,CMOS技术的微缩化发展已使特征尺寸进入到22nm及以下的纳米节点。技术节点的进一步缩小,增强的短沟道效应和......
学位
负电容晶体管
肖特基源漏场效应晶体管
制造工艺
全耗尽绝缘体上硅
电容特性
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