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背栅沟道注入相关论文
PDSOI nMOSFETs关态击穿特性(英文)
分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件.对这些器件的关态击穿特性进行了研究.当......
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