脉冲腐蚀相关论文
多孔硅因具有独特的发光性能而成为材料界的研究热点。随着对多孔硅材料研究的不断深入,多孔硅制备和性能研究都有了很大进展,但仍......
（1）在国际上首次把脉冲电化学腐蚀方法用于第Ⅰ多孔硅微腔的制备,获得了层结构平整和光发射得到改进的多孔硅微腔.该文提出的制备多......
该论文主要包括以下四方面关于多孔硅及其微腔的研究工作:一、首次把有效折射率方法和菲涅耳公式结合起来研究多孔硅微腔的发光特......
采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理。用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅......
采用脉冲腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备多孔硅,对这两种方法制备的多孔硅样品进行了扫描电镜和荧光光谱测量,发现脉冲腐蚀制备......
单晶硅是间接带隙半导体材料，它的带隙宽度Eg=1.1eV，作为发光器件材料在光电子领域中的应用受到一定限制。1990年，英国科学家Canham首......
采用电化学脉冲腐蚀法，在P型单晶硅片上制备了多孔硅（PorousSilicon，tx5）．以制备的多孔硅为传感元件，利用电感耦合器件（CCD）记录了乙醇蒸汽......
采用脉冲电化学腐蚀法，以n型单晶硅为衬底制备多孔硅（n—PS），通过扫描电镜（SEM）、室温500—700nm范围内荧光光谱，系统研究腐蚀时间、占空......
