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应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电......
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GaN是一种宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3.39eV，具有热导率高、耐高温、耐酸碱、高硬度等特性，是第三代半导体的代表。......
