GAN基发光二极管相关论文
采用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备了ITO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)等方法对薄膜进行了测试......
氮化物发光二极管(Light-emitting diodes)是当前非常具有发展前景的固态光源,应用于各个领域,如固态照明、平板显示、交通汽车、......
GaN基发光二极管(LED)因其寿命长、效率高、节能环保的优势备受关注。随着外延技术、芯片技术、封装技术和应用技术的不断进步和发......
作为下一代绿色环保的通用照明光源,大功率高效GaN基LED成为研究的热点。虽然近年来GaN基LED的发光效率方面取得了很大的进展,但是如......
本论文针对GaN基发光二极管中P-GaN与透明导电薄膜ITO的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将ITO蒸发时氧流量、I......
该论文的工作分成两部分:一是用MOCVD在R面蓝宝石上生长A面GaN材料,分析和研究外延材料的性能,二是研究GaN基发光二极管的光电性能......
自20世纪90年代以来,随着材料外延技术的进步和器件制备技术的发展,氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)得到了迅猛发展。GaN基LED以其长寿......
蓝光GaN基Light emitting diode(LED)高效稳定,获得了巨大成功。然而同为Ⅲ族氮化物家族的紫外AlGaN LED效率还比较低,正处于快速成......
GaN基发光二极管(LED)是发展固态照明、实现人类照明革命的关键性光源,具有广阔的应用前景。由于其衬底蓝宝石为绝缘体,以及结构上的......
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电......
对彩色等离子体平板显示(PDP),场发射显示(FED),蓝/绿发光二极管(LED)及蓝紫光激光二极管(LD)用的发光材料的现状和最近发展予以综述和讨论。......
为进一步提高GaN基发光二极管的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管(LED)提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构......
影响GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半导体和空气界面处的全反射。根据实际芯片建立LED模型,利用蒙特卡罗方法进行光......
通过γ辐照和电流加速老化的方法研究环形、旋转形、中心环绕形、树形等4种电极芯片的抗辐射性能.结果表明:与环形电极相比,3种新型电......
氮化镓作为第三代半导体材料的典型代表,在制作抗辐射、高频、大功率、高密度集成的电子器件以及蓝、绿、紫外发光器件和光探测器......
通过对GaN基发光二极管的表面进行粗化,可以改变出射光的方向,使那些满足全反射光改变方向后折射出来,从而提高了发光二极管的出光......
目前GaN已成为制作发光二极管(light emitting diode,LED)的主流材料,GaN基LED在照明和超越照明应用中占有不可替代的重要地位。随......