表面开口缺陷相关论文
由磁偶极子理论证明:表面开口缺陷引起的漏磁场H正比于(d/2-kδ),其中d是缺陷深度,而δ为一较小长度,它取决于工件和缺陷横截面的形状......
介绍了利用横波和纵波的声速差,使底面反射横波信号和底面开口缺陷上端点衍射纵波信号产生位置差的方法,将两个实际位置差极小(即......
渗透检测时,渗透液的渗入量多少是影响检测灵敏度的最重要因素之一,通过渗入速度拐点研究,可以提高渗透液渗入量,提高检测灵敏度。......
1范围rn本标准规定了检验表面开口缺陷的渗透探伤方法及缺陷显示痕迹的等级分类.rn...
由磁偶极子理论证明,表面开口缺陷引起的漏磁场H正比于(d/2-kδ),其中d是缺陷深度,而δ是取决于工件和缺陷横截面的形状与尺寸的一......