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超薄氮氧化硅相关论文

超薄氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中GIDL效应的研究

ＭＯＳＦＥＴ栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏电流指数增强，本文报道Ｎ２Ｏ中退火ＳｉＯ２（两步法）生成超薄（５．５ｎｍ）氮氧化硅（ＳｉＯｘＮｙ）栅ＮＭＯＳＦＥＴ中的ＧＩＤＬ效应，包括器件尺寸，偏置电压和热载流......

期刊

超薄氮氧化硅 GIDI效应 NMOSFET 栅介质

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