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普通多孔硅中发光强度低、发光衰减和峰位蓝移等是该材料应用于制备硅基发光器件前所必须解决的关键问题.该文针对上述问题发生的......
用一种新的方法制备出了具有不同衰减的光致发光特性的多孔硅。如此制备的多孔硅新鲜样品,其发光峰位强度比普通多孔硅高2 ̄2.5倍,将样品在......