金属有机化学气相沉积法相关论文
ZnO是一种直接宽禁带半导体材料,室温禁带宽度为3.37eV,自由激子结合能高达60meV,远大于GaN的25meV和ZnSe的22meV。ZnO薄膜制备温度低......
在半导体材料的发展中,一般将Si、Ge称为第一代半导体材料,GaAs、InP、GaP等称为第二代半导体材料,而将宽禁带半导体GaN、ZnO等称......
自上世纪50年代,以硅(Si)为代表的第一代半导体(元素半导体)材料开始兴起并广泛应用。它取代了笨重的电子管,促进了以集成电路为核心的......
学位
使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED.研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应......
期刊
在Si衬底上利用磁控溅射的方法沉积1.5 nm厚度的Ag膜用以阻挡Si衬底被氧化。采用常压金属有机化学气相沉积法(MOVCD),在Ag/Si(111)......
期刊
介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射......
采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在(0001)方向的AlN/蓝宝石模板上生长得到Al组分为40%的AlGaN材料,设计并制作了MSM型AlGaN 日......
常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描......
用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品......
使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应......
在流化床反应器中以羰基铁为物源,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了云母珠光颜料.由颜料的SEM和EPMA图分析表明:云母微粒为......
生物质能源是一种清洁且可再生的物质,由生物质催化转化为液体燃料及高附加值的化学品成为研究热点。其中,用途非常广泛的γ-戊内......
本论文中的工作都是基于本实验室课题组承接的国家重点基础研究发展规划(“973”计划,项目编号:2010CB327600)中的“新型光电子器件......
白光二极管(LED:Light Emitting Diode)具有节能、环保、寿命长、体积小等众多优点,被公认为替代现有照明光源的新一代光源。但是......