锗硅基区相关论文
为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高......
采用一种新的方法计算双极器件中离子注B硅基区和原位掺B的锗硅基区禁带变窄量。在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已......