禁带变窄量相关论文
本文采用一种新的方法计算双极器件中原位掺B的SiGe锗硅基区禁带变窄量.这种方法利用V做自变量,在室温和液氮温度下测量器件的Gumm......
在前人研究的基础上,本文提出了锗硅材料禁带宽度随含量x、温度T、及掺杂浓度N变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺......
提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点,拓宽了公式的使用范围.分......
提出了锗硅材料带宽度随锗含量，温度及掺杂浓度变化的经验公式，改善了以往经验公式局限性较大的缺点，拓宽了公式的使用范围，分析并计算......
采用一种新的方法计算双极器件中离子注B硅基区和原位掺B的锗硅基区禁带变窄量。在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已......
