间接复合相关论文
p-n结注入电流脉冲结束后,结的暂态电压因放电而衰减,一般正常的衰减曲线是电压随时间几乎是线性减小,但有些p-n结的衰减曲线却与......
本文利用MOSFET结构研究了GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜的光照场效应以及光电导和S-W效应。实验测得光照引入的缺陷态密度约为10~(17)/c......
一、引言 1955年Lederhandler等发现,注入电流脉冲结束后某些p-n结开路电压的衰减并不遵从简单的规律(本文(6)式),其衰减曲线呈驼......
关于氢化非晶硅(a-Si:H)中光致亚稳性退化(Staebler-Wronski效应)虽已进行了大量研究,但对其物理机制至今还是不清楚的,已有物理模......
