阈电压漂移相关论文
对MOSFET在不同剂量率条件下的电离辐照效应进行了研究。结果显示:在实验的剂量率和总剂量范围内,在各种剂率辐照下,NMOS管和PMOS......
对电离辐照敏感的厚氧化层pMOS FET进行了瞬态X-ray和低能强流电子束辐照实验,通过对阈电压漂移的跟踪监测,研究了pMOS FETs的瞬态电离辐照效应,运用辐射......
该文简述了研究CMOS器件器件在低能X射和Coγ射线辐照下阈电压漂移漂移的异同性。介绍了低能X射线、γ射线的辐照剂量及器件阈电压......
在室温条件下 ,研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对 PMOS剂量计辐照剂量记录 -阈电压的稳定性影响 ,观察了辐照后阈电压在不同栅偏......
研究了国产非加固PMOS管在不同剂量率条件下的电离辐照效应及较高剂量率辐照后的退火效应。研究表明,用较高剂量率辐照加退火不能达......