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从熔体中生长砷化镓时，由于重国引起的热对流，往往在晶体中会产生杂质条纹影响材料的质量，在消除杂质条纹的措施中，除在空间微重力这一......
在空间生长ＳＩ－ＧａＡｓ的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有１０ｎｍ的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了......
