非对称势垒相关论文
随着信息存储技术的快速发展,人们对电子器件提出了微型化、高速度、高密度、低功耗、非易失的要求。为了满足上述要求,研究者寄希......
随着信息技术的快速发展，量子效应在半导体集成电路中越来越不容忽视，逐渐成为其中电荷输运的主导效应。微电子学在传统工艺的基础上......
本文介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge/Si复合纳米结构量子点MOSFET内存......
利用Silvaco软件对Al0.2Ga0.8N/GaN共振隧穿二极管(RTD)进行仿真,重点研究了InGaN子量子阱结构及相应非对称势垒结构设计对其电流......
为了研究势垒对铁磁／绝缘层／半导体／绝缘层／铁磁（FM／I／SM／I／FM）双隧道结中自旋相关电子输运特性的影响，提出了在半导体层厚度合适的情况下，非对......
在有效质量近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了势垒的非对称性对单电子隧穿几率的影响.结果表明：隧穿过程的势垒的形状对隧穿几率......
为解决传统量子力学方法在研究非对称双势垒问题上计算过于繁琐的问题,利用转移矩阵的方法分别研究了电子对于非对称单势垒和非对......
介绍了非对称性势垒单电子管（ATBs）的电路模拟和特性，以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge／Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟，得......
