非晶孵化层相关论文
采用拉曼光谱、椭圆偏振光谱和原子力显微镜分析了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)微晶硅(μc-si:H)薄膜的初期生长特性......
与低速沉积的微晶硅薄膜相比,高速沉积的微晶硅薄膜具有非晶孵化层厚、纵向结构均匀性差等特点,导致电池的填充因子和短路电流密度......
为提高微晶硅薄膜的纵向结晶性能,在甚高频等离子体增强化学气相沉积技术的基础上,采用过渡参数缓变和两步法相结合的方法在普通玻......
本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了p型微晶硅层对本征微晶硅薄膜结构特性的影响.实验......
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系......
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α0......
采用在籽晶层与I层之间插入缓冲层的方法制备了一组微晶硅太阳电池,其结构式:AI/N层/I层/缓冲层/籽晶层/P层/Sn O2:Zn O/玻璃基底.通......