利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。......

MOS晶体管出现以后，以硅基集成电路为核心的微电子技术取得了飞速的发展。随着电路集成度的日益提高，半导体器件的特征尺寸遵从摩尔......

采用射频磁控溅射法在石英衬底和Si衬底上分别生长了Er2O3,Tm2O3和Yb2O3三种稀土氧化物薄膜。分别利用光学方法和X射线光电子能谱......