高κ材料相关论文
随着信息技术的不断发展,智能终端数目爆炸式增长,这一过程中存储产业起到了不可忽视的作用。为实现设备轻量化,提升设备运行速率,......
在等比例缩小原则的约束下,为了保持优异的MOS器件的性能,同时又要抑制过大直接隧穿电流和保持栅氧化层的可靠性,这时就需要寻找一......
叙述了高κ介质材料替代传统SiO2作为栅介质是超大集成电路发展的必然趋势,总结了Hf基高κ材料基本性能、研究现状及制备方法,推荐......
日益增长的信息技术对超高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM......
随着半导体工业的发展，晶体管的尺寸不断减小，二氧化硅层的厚度将减至2nm以下，仅有几个原子层的厚度。传统的二氧化硅面临诸多严峻挑......
当集成电路发展到45nm工艺节点以下时，传统的SiO2作为栅氧化层介质会导致电子的直接隧穿效应以及栅介质层所承受的电场变大，由此引起......
