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高压坩埚下降法相关论文
ZnSe单晶生长及性能研究
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe......
期刊
ZnSe单晶
物理气相输运法
高压坩埚下降法
透过率
吸收系数
发光效率
ZnSe single crystalphysical vapor transport
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