高温氩退火相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

高温氩退火相关论文

高温氩退火对提高Si片质量的研究

首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP......

期刊

直拉单晶硅栅氧化层击穿电压高温退火 Si片高温氩退火几何参数硅单晶微缺陷电压法

高温氩退火对提高硅片质量的研究

目前,集成电路正朝着大直径化和高集成度化方向迅速发展,对硅基材料的要求也越来越高,尤其是对大直径单晶硅中VOID缺陷的要求,变得......

学位

高温氩退火空洞型微缺陷氧沉淀洁净区内吸杂栅氧化层完整性

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