用MOCVD技术在三种气体混合不同即预反应大小不同的反应管中生长掺硅的CaN单晶膜。通过对样品进行光电性能的分析，研究了预反应的大......

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对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究，研究表明随SiH/TMGa流量比增大，GaN:Si单晶膜的电子浓度增大，迁移率下降，X射线双晶衍射峰半高宽增加......

对ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ：Ｓｉ薄膜进行了研究，研究表明随ＳｉＨ４／ＴＭＧａ流量比增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子浓度增大，迁移率下降，Ｘ射线双晶衍射峰半高宽增加，同时这发射强度得到了大大的......