论文部分内容阅读
介绍了一种新型分离自偏置TTL与CMOS接口电路。该电路具有高速、低功耗的优点，且其逻辑阈值电压对于工艺和电源电压的变化均不敏感，因而非常适宜应用于受电源噪声影响较大的SOI静态随机存取存储器电路中。
一种应用于部分耗尽型SOI SRAM的高速低功耗TTL与CMOS接口电路
【摘 要】
：
介绍了一种新型分离自偏置TTL与CMOS接口电路。该电路具有高速、低功耗的优点，且其逻辑阈值电压对于工艺和电源电压的变化均不敏感，因而非常适宜应用于受电源噪声影响较大的SOI静态随机存取存储器电路中。
【机 构】
：
中国科学院 上海微系统与信息技术研究所,上海 200050 中国科学院 研究生院,北京 100039
【出 处】
：
第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
：
2007年10期
其他文献
基于境外0.5um标准CMOS工艺,通过二级温度补偿和曲率校正,设计了一种高精度的带隙基准电路结构。借助电阻二次分压网络可产生0.5-3.5V的基准电压和可调的基准电流,使用Spectre进行仿真,仿真结果表明电路在-55-125℃范围内,最高温度系数约为10 ppm/℃,电源抑制比在85 dB以上,5V电源电压时总功耗约13mW,已应用于现场可编程模拟阵列(FPAA)设计中.
以中电集团第二十四研究所0.8um模拟BiCMOS工艺为背景,介绍了在BiCMOS工艺中高速双极型晶体管结构设计和工艺集成所涉及的主要问题与优化策略。通过对器件结构和工艺的优化,在0.8um BiCMOS工艺中集成的NPN管有效基区宽度小于100 nm,f1>16 GHz,fmax>35 GHz,并对工艺流程和器件参数进行了说明和分析。
在HBT外延生长SiGe基区时,通过掺入一定量(1×1020/cm3)的碳(C),有效抑制了SiGe HBT基区中高浓度硼(B)掺杂在器件热工艺过程中产生的热扩散和瞬态增强扩散效应,大大改善了HBT器件的直流特性和高频性能,Early电压达到2987V， 截止频率fr从7.4 GHz提高到12 GHz。
介绍了硅基多芯片组件(MCM-Si)的工艺流程和基本结构，并对其工艺特征及关键工艺因素进行了研究。硅多层布线及兼容焊盘，凸点的UBM结构、厚胶光刻、焊料凸点电镀及凸点回流成型、芯片凸点倒装焊等基础工艺是难点。通过大量的研究，基本建立了可应用于高可靠、高性能、小型化混合电路MCM-Si工艺技术平台。在该平台上研制的样品已通过H级可靠性摸底试验，其产品应用正在推广中。
随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域中应用日益广泛，集成电路工作电压逐步提高，原有工艺技术和工艺规范已不满足这类产品的要求。文章介绍了工作电压高于50V的功率器件硼基区工艺优化方案，给出了工艺结果及其在产品中的应用。
瞄准单片功率集成电路对BCD工艺的特殊需求,开展了BCD工艺兼容技术研究,解决了其关键技术问题,初步建立了 BCD工艺,制作出NPN管的BVCEO达到25V,β为50；VDMOS的BVDS达到35V,阈值电压为3V；PMOS的BVDS到14V,阈值电压为-0.8V；NMOS的BVDS达到15V,阈值电压为1.2v。
详述了深槽/浅槽隔离技术在双极SiGe集成电路中的实现，取了良好的隔离效果，完全符合实际应用。采用该技术，制作了符合实用要求的低噪声放大器。
辐射场效应管(RADFET)γ剂量探测器现在己经广泛应用到宇航、核电站和核医疗等部门的γ辐射剂量测量。RADFET γ剂量探测器是选用10Ω·cm左右、(100)晶面的n型硅单晶片，用改进的MOS场效应管加工工艺和特殊要求的氧化技术制作的一种特殊的P沟道增强型MOSFET。辐射灵敏度、一致性、稳定性以及温度响应是半导体探测器的重要指标。本文主要阐述了介绍了RADFETγ探测器的一些工艺对性能的影响
基于传统电流型压控振荡器,设计了一种全差分电流型结构,不仅提高了振荡频率,而且优化了噪声特性。设计采用HEJIAN0.18μm双阱CMOS工艺,利用Hspice进行仿真,仿真结果表明,振荡频率与传统结构相比有500MHz的提高,噪声特性方面有明显改进,低频时电源抑制比达到63dB,调谐范围达到2.7GHz。