【摘 要】
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研究了埋氧层内注氮对SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)SOI(Silicon-on-Insulator)材料抗辐射性能的影响.实验采用Co-60源对由SIMOXSOI材料制作出的MOS电容进行辐照,并通
【机 构】
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中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心,北京,100083
【出 处】
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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
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研究了埋氧层内注氮对SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)SOI(Silicon-on-Insulator)材料抗辐射性能的影响.实验采用Co-60源对由SIMOXSOI材料制作出的MOS电容进行辐照,并通过辐照前后高频C-V曲线的平带电压漂移,计算了平带时辐射产生的SiO2/Si界面处硅费米能级以上施主陷阱与界面附近氧化物空穴陷阱的密度之和.实验发现,应用离子注入工艺,将一定剂量的氮注入到SIMOX材料的埋氧层内能增强其抗辐射能力.但在注氮剂量一定的情况下,注氮所用的注入能量将会对SIMOX材料的辐射加固效果产生较为显著的影响.
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