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二维自旋极化反铁磁零磁矩半导体

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fangming286

【摘 要】

：

　　自旋电子学的发展,迫切需要设计新的不同类型的材料来操纵和控制自旋自由度,电子完全自旋极化的材料是自旋电子学中最重要的材料之一[1].Half-Metal(HM)类型的材料在自旋

【作 者】

：

何俊杰 孙立忠 

【机 构】

：

湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭,411105

【出 处】

：

中国物理学会2015年秋季会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

二维 自旋极化 反铁磁 磁矩 自旋电子学 材料 自旋自由度 自旋过滤 

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　　自旋电子学的发展,迫切需要设计新的不同类型的材料来操纵和控制自旋自由度,电子完全自旋极化的材料是自旋电子学中最重要的材料之一[1].Half-Metal(HM)类型的材料在自旋电子学中有着广泛应用,如自旋过滤、自旋探测和传感器等[2].Half-semiconductor(HSC)表现为半导体特征,并且在相同的自旋通道里完全自旋极化[3,4].

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