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准一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性,在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等领域有广阔的应用前景1.在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中,InAs具有高的电子载流子迁移率、小的电子有效质量,因此是研制高性能场效应电子器件以及量子器件的理想材料；GaSb具有最高的空穴迁移率,因此是研制高速p-型半导体场效应晶体管的理想材料.