【摘 要】
：
本文研究利用MOCVD 在Ge 衬底上生长GaInP/InGaAs材料,通过优化Ge衬底预处理及GaInP成核层条件,得到了表面形貌良好的GaInP成核层.然后在此GaInP上生长了InGaAs缓冲层,原子力显微镜(AFM)测量显示InGaAs外延层的表面粗糙度Ra＜0.65nm.最后,利用二次离子质谱仪(SIMS)分析了Ge与Ⅲ–Ⅴ族半导体材料在界面处的互扩散,测试结果表明,采用GaInP成核层
【机 构】
：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏 苏州 215123
论文部分内容阅读
本文研究利用MOCVD 在Ge 衬底上生长GaInP/InGaAs材料,通过优化Ge衬底预处理及GaInP成核层条件,得到了表面形貌良好的GaInP成核层.然后在此GaInP上生长了InGaAs缓冲层,原子力显微镜(AFM)测量显示InGaAs外延层的表面粗糙度Ra＜0.65nm.最后,利用二次离子质谱仪(SIMS)分析了Ge与Ⅲ–Ⅴ族半导体材料在界面处的互扩散,测试结果表明,采用GaInP成核层可以有效抑制Ga、As和Ge等原子在界面处的互扩散,GaInP可作为Ge衬底上生长Ⅲ–Ⅴ半导体材料及相关器件结构时抑制界面互扩散的阻挡层.
其他文献
迁钢2号高炉开炉以来,随着炉役的增加和持续超设计强化冶炼,炉缸局部异常侵蚀越来越明显.进入2011 年,2 座高炉炉缸冷却壁水温差急速上升且长期居高不下,水温差升高的冷却壁面积不断扩大,炉缸水温差总体上呈现出“上升越来越频繁,越来越剧烈,治理难度越来越大,治理周期越来越长”的特点.炉缸工作状态的恶化影响了高炉生产指标和成本的完成,也威胁了炉缸长寿目标的实现,我们通过对迁钢2 号高炉炉缸水温差控制技
简要介绍热风炉蓄热室的优化方法；利用优化方法，讨论了假定在蓄热面积相同的条件下，热风炉蓄热室中格子砖的当量厚度S 与送风周期θ 之间的关系，随着格子砖当量厚度S 进一步缩小，其最大送风周期时间缩短的趋势越来越明显。在现有生产操作条件下，不能无限制地缩小格砖孔径和当量厚度，否则易出现送风周期短，废气温度难控制等情况，当煤气压力波动大时，容易“欠烧”；为此，在热风炉系统设计时，根据设计风温要求，在合理
通过分析现有CFB锅炉的炉型结构，归纳出二种通用型CFB锅炉炉型结构，作为热力计算的目标炉型，可以涵盖绝大部分在运的CFB锅炉.CFB锅炉热力计算软件分别采用清华大学炉膛热力计算模型及前苏联的《锅炉机组热力计算标准方法》，对上述两种通用型CFB锅炉的主循环回路和尾部受热面进行计算.在掌握大量CFB锅炉设计资料、运行数据以及现场实测数据的基础上，将对炉膛热力计算模型及计算软件进行完善，使之具有较高的
以1 000 MW超临界压力塔式直流锅炉为例，对不同负荷下螺旋管圈水冷壁的吸热偏差进行了测量和计算.结果表明：螺旋管圈水冷壁的吸热偏差随着机组负荷的改变而变化，负荷越高，吸热偏差越小，在满负荷下，热偏差系数趋于1.在同一负荷下，由下部螺旋管圈和上部垂直管屏构成的水冷壁管吸热偏差比垂直管屏水冷壁的吸热偏差小；螺旋管圈水冷壁对改善炉内热负荷分布不均效果显著.
我们制作了InGaN基超辐射二极管,其一边为斜腔面,超辐射波长445.3nm,光谱的半高宽7.7nm；并比较了相同腔长(800um)的超辐射二极管和激光器的特性,如图1所示为不同电流下超辐射二极管和激光器的光谱,图2为超辐射二极管和激光器的输出光强和半高宽随注入电流的变化曲线,如图所示,当注入电流小于250mA 时,超辐射二极管和激光器的光谱半高宽基本相等,随着注入电流的增加,激光器的光谱半高宽急
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在p-GaN 薄膜表面制备了结晶质量较高的n-ZnO：Ga薄膜，然后分别在p-GaN 和n-ZnO：Ga薄膜表面制备了Ni/Pt 及Ti/Pt 金属电极，构造了n-ZnO：Ga/i-MgO/p-GaN 薄膜异质结发光二级管(LED)原型器件.Ⅰ-Ⅴ特性测试表明，器件具有较好的整流特性，正向开启电压约为7V.电致发光(EL)光谱表明，该器件表现出较强的紫外发光峰，中心波
为了研制硅基发光器件，我们将PbS 溶胶量子点与PMMA光刻胶混合，在硅衬底上用旋涂法制备了表面平整、质地均匀的复合PbS 量子点光刻胶薄膜，用514nm的氩离子激光器泵浦可以实现光致发光，发光波长位于1338nm.我们进一步利用Vistec EBPG 5000+电子束曝光设备和ICP 刻蚀设备，在SOI 衬底上制备了高Q 值的硅基微盘.用旋涂法将PbS 量子点与微盘耦合，用微区光致荧光光谱仪观察
用水热合成法在多孔硅衬底上生长了ZnO纳米结构,制备了ZnO纳米结构/多孔硅复合体系,研究了其结构、形貌以及发光性质.X 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测量表明,多孔硅衬底上生长的ZnO纳米结构为多晶六方结构.室温下光致发光光谱(PL)显示,ZnO纳米结构/多孔硅复合结构在可见光区具有很强的光致发光现象,多孔硅的橙红光与ZnO的发光叠加在一起,产生白光发射.